Новости про 10 нм и Samsung

Благодаря своим разработкам была выпущена память 1Z нм объёмом 8 Гб. Технология позволила увеличить долю выпуска годной продукции на 20%, по сравнению с прошлым поколением. Массовое производство микросхем начнётся во второй половине 2019 года.

Новая память планируется к использованию в серверах нового поколения и хай-энд компьютерах, выпускаемых в 2020 году. Также технология будет использоваться для производства DRAM памяти других типов, включая DDR5, LPDDR5 и GDDR6.

В компании отмечают, что наладка производства 1Z нм памяти позволит фирме сохранить лидерство на рынке DRAM.

Стоимость создания микросхем менее 10 нм относительно велика. Недавно HiSilicon планировал потратить как минимум 300 миллионов долларов на разработку 7 нм SoC нового поколения. Разработчики, лишённые производств, боятся тратить большие деньги на до-10 нм процессы, сомневаясь, что в будущем эти затраты окупятся.

К примеру, Qualcomm и MediaTek вместо разработки 7 нм SoC, решили заняться модернизацией своих средне-верхних решений, которые будут выпущены по 14/12 нм процессу. Обе компании задаются вопросом, есть ли необходимость в переходе на 7 нм производство.

Что касается самих производителей, то TSMC и Samsung Electronics уже представили дорожные карты с 7 нм микросхемами. В UMC решили сместить фокус на зрелые и специализированные процессы. Примерно по тому же пути решили двигаться и в GlobalFoundries, закрыв свою 7 нм программу. Крупнейший производитель чипов, компания Intel, и вовсе увязла в 14 нм технологии, уже опаздывая с 10 нм процессом на 3 года.

В них используется память 10-нанометрового класса, а модули предназначены для достижения производительности эквивалентной настольным ПК. По словам Samsung, новая память заметно увеличивает ёмкость и скорость работы, при снижении потребляемой энергии.

Так, в сравнении с прошлым поколением 16 ГБ модулей, изготовленных по 20 нм классу из чипов по 8 Гб, новые модули обещают 11% прирост в скорости и на 39% меньшее потребление энергии. Новая память обладает пропускной способностью в 2,666 Мб/с, а пара таких модулей при объёме 64 ГБ будет потреблять менее 4,6 Вт при нагрузке и 1,4 Вт в простое.

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.

Промышленный источник, имя которого не раскрывается, сообщил,  что компания не заказывала материалы, необходимые для EUV, как это сделала Samsung и TSMC.

Машины, необходимые для выпуска продукции по технологии EUV, производятся голландской компанией ASML. Такие машины стоят по 150 миллионов долларов и основываются на самых современных разработках. Сама ASML получила заказы на 21 машину, которые она изготовит к 2019 году. Столь медленный выпуск связан с нехваткой линз, которые производит Zeiss.

Дж. Дан Хатчесон, исполнительный директор исследовательской компании VLSI Research, утверждает, что внедрение EUV проходит сложнее, чем ожидалось. Все производители рассчитывали наносить один-два маскирующих слоя, но теперь речь идёт о пяти, шести или даже семи защитных слоях.

Но почему Intel не спешит с EUV? Обозреватели считают, что причина кроется в отсутствии конкуренции. Если на рынке ARM чипов TSMC и Samsung активно соперничают, то у Intel в этом направлении нет конкурентов. В связи с чем у последней есть больше времени на тщательную подготовку и совершенствование технологии для производства быстрых и мощных процессоров.

Новым процессом стал 11 нм Low Power Plus (LPP) FinFET. Эта технология будет коммерчески доступна в первой половине 2018 года. По сравнению с процессом 14LPP, новая технология Samsung обеспечит 15% прирост производительности изготавливаемых процессоров, а также уменьшит на 10% физическую площадь чипов. Всё это достигается при том же энергопотреблении. Технологию планируется применять при производстве SoC, используемых в смартфонах среднего уровня. Для своих топовых смартфонов компания продолжит использование процесса 10LPP.

Также южнокорейская компания объявила о новых достижениях в разработке 7 нм LPP процесса, который использует ультрафиолетовую литографию (EUV). В компании сообщили, что первые чипы по этой технологии будут выпущены во втором полугодии 2018, однако о коммерческом производстве не сообщила ничего. Сейчас Samsung уверяет, что добилась 80% эффективности при выпуске по 7 нм EUV технологии 256 Мб чипов SRAM на тестовой линии.

По информации DigiTimes, которая ссылается на промышленные источники, TSMC оптимизировала технологию производства 10 нм процессоров для Apple, HiSilicon и MediaTek и была готова начать их массовое производство в первом квартале 2017 года. Однако количество годных пластин с микросхемами далеко от того, что ожидала увидеть компания.

В TSMC планируют запустить производство процессоров Apple A10X, которые предназначены для iPad следующего поколения, в марте 2017 года. Однако неудовлетворительное качество 10 нм пластин может повлечь изменение графика производства. Также компания займётся производством процессоров Apple A11, которые будут установлены в iPhone 8. Их производство планируется на второй квартал наступившего года.

В то же время Samsung испытывает аналогичные трудности. Из-за большого количества негодных 10 нм чипов под угрозой оказалась дорожная карта Qualcomm 2017 года. Изначально компания планировала производить системы-на-чипе Snapdragon 835 и прочие чипы 660-й серии (с кодовым именем 8976 Plus) на заводах Samsung по 10 нм нормам, однако пересмотрела свои планы, сохранив новую технологию лишь для флагманского чипа. Процессоры серии Snapdragon 660 Qualcomm будут изготавливаться по старой и отработанной технологии с размером элементов 14 нм.

В ответ на эту информацию TSMC заявила, что разработка 10 нм технологии идёт по плану и никаких задержек не предвидится.

По информации Южнокорейской Electronic Times, Samsung, будет производить системы-на-чипе Qualcomm Snapdragon 830, используя 10 нм технологию. При этом сам производитель чипов станет использовать их в половине выпускаемых аппаратов Galaxy S модели 2017 года.

Таким образом, сотрудничество двух компаний продолжается. В январе этого года Qualcomm сообщила, что Samsung станет единственным производителем чипов Snapdragon 820. Некоторые аналитики оценили данную сделку в более чем миллиард долларов.

Сами же компании Samsung и Qualcomm пока не комментируют данную информацию, так что сейчас её нужно воспринимать как слух из надёжных источников.

По информации China’s Economic Daily News, тайваньский производитель TSMC будет производит все чипы A11 в полном объёме. Скорее всего, новые процессоры будут изготовлены по 10 нм технологии и будут установлены в iPhone следующего года выпуска.

Возможная причина такого решения кроется в скандале, который получил название «чипгейт». Компания Apple заказывала процессоры A9 для iPhone 6 и 6S у Samsung и TSMC. Процессоры, произведённые Samsung, оказались горячее аналогов, производства TSMC, потребляли больше энергии, однако они и работали быстрее.

Однако чипгейт касался процессоров A9, а сейчас речь идёт об A11, и система производства их различна. В прошлых чипах использовался 14 нм процесс, в то время как в A11 будет применяться 10 нм технология. Возможно, что у Apple просто не было другого выхода, а возможно, TSMC предложила заманчивую цену. Поскольку акции Apple за последний год очень сильно упали в цене, компании необходимо сократить расходы, чтобы увеличить прибыль.

Отмечается, что TSMC уже оканчивает разработку документации для производства A11, и мелкосерийное производство процессоров может начаться уже в третьем квартале 2017 года. Сейчас TSMC является эксклюзивным производителем системы-на-чипе A10, которая будет применена в Apple iPhone 7.

Кроме Apple компания TSMC будет производить 10 нм чипы для Xilinx, MediaTek и HiSilicon.

Отмечается, что новый смартфон получит 5,8” AMOLED дисплей «Slim RGB» и будет основан на процессоре Snapdragon 823. Также платформа получит 6 ГБ оперативной памяти. Также, по слухам, Galaxy Note 6 получит сканер роговицы.

По всей видимости, Note 6 станет первым смартфоном от Samsung, оснащённым 6 ГБ памяти LPDDR4.

Будучи изготовленной по 10 нм технологии, новая память обеспечит большую производительность при меньшем энергопотреблении, что означает увеличение времени автономной работы. Сообщается, что компания уже занята разработкой прошивки для данного смартфона, который должен появиться в продаже в августе.